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显示1 - 28项产品, 共28项
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产品描述
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CAPZero-3

零功耗 X电容自动快速放电IC,可选无损耗过零点信号发生器

Type: IC

零功耗 X电容自动快速放电IC,可选无损耗过零点信号发生器

Control IC Any
SIC1182K

最大8A的单通道SiC MOSFET门极驱动器,可提供高级有源钳位和1200V加强绝缘

Type: IC

最大8A的单通道SiC MOSFET门极驱动器,可提供高级有源钳位和1200V加强绝缘

Driver IC 2-level Voltage Source, 3-level NP-Clamped - Type 1, 3-level NP-Clamped - Type 2, Multi-Level NP-Clamped
2SP0430

适用于1200V和1700V且封装为PrimePACK™ 3+ IGBT模块的双通道即插即用型驱动器

Type: Board

适用于1200V和1700V且封装为PrimePACK™ 3+ IGBT模块的双通道即插即用型驱动器

PnP Driver 2-level Voltage Source, 3-level NP-Clamped - Type 1
BridgeSwitch

高压,自供电,带集成设备保护和系统监控的半桥电机驱动器

Type: IC

高压,自供电,带集成设备保护和系统监控的半桥电机驱动器

Motor Driver Integrated Half-Bridge
SID11x1K

单通道IGBT/MOSFET门极驱动器,可提供耐压650 V的加强绝缘

Type: IC

单通道IGBT/MOSFET门极驱动器,可提供耐压650 V的加强绝缘

Driver IC 2-level Voltage Source, 3-level NP-Clamped - Type 1, 3-level NP-Clamped - Type 2, Multi-Level NP-Clamped
SID1102K

最大5A的单通道IGBT/MOSFET门极驱动器,可为耐压1200V的IGBT和MOSFET提供加强绝缘

Type: IC

最大5A的单通道IGBT/MOSFET门极驱动器,可为耐压1200V的IGBT和MOSFET提供加强绝缘

Driver IC 2-level Voltage Source, 3-level NP-Clamped - Type 1, 3-level NP-Clamped - Type 2, Multi-Level NP-Clamped
HiperPFS-4

采用集成600 V MOSFET的PFC控制器可在整个负载范围内提供高功率因数,具有高效率

Type: IC

采用集成600 V MOSFET的PFC控制器可在整个负载范围内提供高功率因数,具有高效率

PMIC PFC
LinkSwitch-XT2

集成了系统级保护的高能效、低功率、离线式开关电源IC

Type: IC

集成了系统级保护的高能效、低功率、离线式开关电源IC

PMIC Secondary Side - Opto Regulated, Non-Isolated Flyback
LinkSwitch-TN2

集成了系统级保护的高能效 725 V / 900 V MOSFET 离线式开关电源IC可实现低元件数的电源设计

Type: IC

集成了系统级保护的高能效 725 V / 900 V MOSFET 离线式开关电源IC可实现低元件数的电源设计

PMIC Non-Isolated Flyback, Buck/Boost/Buck-Boost
SID11x2K

具有先进的安全和保护功能的电气绝缘的单通道门极驱动器IC

Type: IC

具有先进的安全和保护功能的电气绝缘的单通道门极驱动器IC

Driver IC 2-level Voltage Source, 3-level NP-Clamped - Type 1, 3-level NP-Clamped - Type 2, Multi-Level NP-Clamped
2SC0115T

适用于90 kW-500 kW逆变器的最小IGBT门极驱动器,SCALE-2+技术,适用于1200 V IGBT驱动器的电气绝缘方案,高级有源钳位或SSD功能

Type: Board

适用于90 kW-500 kW逆变器的最小IGBT门极驱动器,SCALE-2+技术,适用于1200 V IGBT驱动器的电气绝缘方案,高级有源钳位或SSD功能

Driver Core 2-level Voltage Source, 3-level NP-Clamped - Type 1, 3-level NP-Clamped - Type 2, Multi-Level NP-Clamped
CAPZero-2

零功耗X电容自动放电IC

Type: IC

零功耗X电容自动放电IC

Control IC Any
1SC0450

单通道SCALE-2驱动核,最高的集成水平,集成DC/DC电源和光纤接口的灵活的4.5 kV和6.5 kV门极驱动器

Type: Board

单通道SCALE-2驱动核,最高的集成水平,集成DC/DC电源和光纤接口的灵活的4.5 kV和6.5 kV门极驱动器

Driver Core 2-level Voltage Source, 3-level NP-Clamped - Type 1, 3-level NP-Clamped - Type 2, Multi-Level NP-Clamped
2SC0106T

双通道SCALE-2+驱动核,最高的集成水平,适用于10至75kVA的逆变器设计,以最经济的方式完整通过安全认证

Type: Board

双通道SCALE-2+驱动核,最高的集成水平,适用于10至75kVA的逆变器设计,以最经济的方式完整通过安全认证

Driver Core 2-level Voltage Source
1SP0340

用于4.5kV IGBT的单通道SCALE-2即插即用型驱动器、主/从结构支持驱动器直接并联

Type: Board

用于4.5kV IGBT的单通道SCALE-2即插即用型驱动器、主/从结构支持驱动器直接并联

PnP Driver 2-level Voltage Source, 3-level NP-Clamped - Type 1, 3-level NP-Clamped - Type 2, Multi-Level NP-Clamped
1SP0335

单通道SCALE-2即插即用型驱动器,具有主/从操作功能,可驱动3300 V到6500 V的IGBT(需配备外置的DC/DC电源)

Type: Board

单通道SCALE-2即插即用型驱动器,具有主/从操作功能,可驱动3300 V到6500 V的IGBT(需配备外置的DC/DC电源)

PnP Driver 2-level Voltage Source, 3-level NP-Clamped - Type 1, 3-level NP-Clamped - Type 2, Multi-Level NP-Clamped
1SP0635

单通道SCALE-2即插即用型驱动器,具有主/从操作功能,可驱动1200V到3300V的IGBT(自带DC/DC电源)

Type: Board

单通道SCALE-2即插即用型驱动器,具有主/从操作功能,可驱动1200V到3300V的IGBT(自带DC/DC电源)

PnP Driver 2-level Voltage Source, 3-level NP-Clamped - Type 1, 3-level NP-Clamped - Type 2, Multi-Level NP-Clamped
2SP0320

用于PrimePACK™ IGBT模块的双通道SCALE-2即插即用型驱动器,电气或光纤接口,支持驱动器直接并联

Type: Board

用于PrimePACK™ IGBT模块的双通道SCALE-2即插即用型驱动器,电气或光纤接口,支持驱动器直接并联

PnP Driver 2-level Voltage Source, 3-level NP-Clamped - Type 1, 3-level NP-Clamped - Type 2, Multi-Level NP-Clamped
2SP0115T

用于17mm IGBT模块的双通道SCALE-2即插即用型驱动器,功能齐全,支持驱动器直接并联

Type: Board

用于17mm IGBT模块的双通道SCALE-2即插即用型驱动器,功能齐全,支持驱动器直接并联

PnP Driver 2-level Voltage Source, 3-level NP-Clamped - Type 1, 3-level NP-Clamped - Type 2, Multi-Level NP-Clamped
2SD300C17

双通道SCALE-2驱动核,最高的集成水平,兼容Infineon 的2ED300C17-S驱动器,30 A门极电流,2 x 4 W驱动功率

Type: Board

双通道SCALE-2驱动核,最高的集成水平,兼容Infineon 的2ED300C17-S驱动器,30 A门极电流,2 x 4 W驱动功率

Driver Core 2-level Voltage Source
2SC0535T

用于3.3 kV IGBT的双通道SCALE-2驱动核,最高的集成水平,超紧凑,高电压,高功率,35 A门极电流,2 x 5 W输出功率

Type: Board

用于3.3 kV IGBT的双通道SCALE-2驱动核,最高的集成水平,超紧凑,高电压,高功率,35 A门极电流,2 x 5 W输出功率

Driver Core 2-level Voltage Source, 3-level NP-Clamped - Type 1, 3-level NP-Clamped - Type 2, Multi-Level NP-Clamped
2SC0650P

采用平面变压器的单通道SCALE-2驱动核,最高的集成水平,最高的功率密度,针对大功率和高频应用,50 A门极电流,2 x 6 W输出功率

Type: Board

采用平面变压器的单通道SCALE-2驱动核,最高的集成水平,最高的功率密度,针对大功率和高频应用,50 A门极电流,2 x 6 W输出功率

Driver Core 2-level Voltage Source, 3-level NP-Clamped - Type 1, 3-level NP-Clamped - Type 2, Multi-Level NP-Clamped
2SC0435T

双通道SCALE-2+驱动核,适用2SC0435T2F1-17、2SC0435T2G1-17和2SC0435T2H0-17,具有最高集成度,超紧凑,高质量;35 A门极电流,2 x 4 W输出功率

Type: Board

双通道SCALE-2+驱动核,适用2SC0435T2F1-17、2SC0435T2G1-17和2SC0435T2H0-17,具有最高集成度,超紧凑,高质量;35 A门极电流,2 x 4 W输出功率

Driver Core 2-level Voltage Source, 3-level NP-Clamped - Type 1, 3-level NP-Clamped - Type 2, Multi-Level NP-Clamped
2SC0108T

双通道SCALE-2+驱动核,最高的集成水平,超紧凑,高质量,8 A门极电流,2 x 1 W输出功率

Type: Board

双通道SCALE-2+驱动核,最高的集成水平,超紧凑,高质量,8 A门极电流,2 x 1 W输出功率

Driver Core 2-level Voltage Source, 3-level NP-Clamped - Type 1, 3-level NP-Clamped - Type 2, Multi-Level NP-Clamped
1SC2060P

采用平面变压器的单通道SCALE-2驱动核,最高的集成水平,驱动电流60 A,用于驱动并联的大功率IGBT模块,输出功率20 W,用于最高500 kHz的高频应用

Type: Board

采用平面变压器的单通道SCALE-2驱动核,最高的集成水平,驱动电流60 A,用于驱动并联的大功率IGBT模块,输出功率20 W,用于最高500 kHz的高频应用

Driver Core 2-level Voltage Source, 3-level NP-Clamped - Type 1, 3-level NP-Clamped - Type 2, Multi-Level NP-Clamped
Qspeed Q系列

快速硅二极管,具有一流的EMI性能

  • VRRM     - 150 V, 200 V, 300 V, 600 V
  • IF(AVG)   - 3 A - 40 A
  • QRR       - 5 nC - 61 nC

Type: Passive

快速硅二极管,具有一流的EMI性能

  • VRRM     - 150 V, 200 V, 300 V, 600 V
  • IF(AVG)   - 3 A - 40 A
  • QRR       - 5 nC - 61 nC
Diode Any
Qspeed X系列

快速硅二极管,在EMI性能与开关速度之间实现平衡

  • VRRM     - 600 V
  • IF(AVG)   - 3 A - 20 A
  • QRR       - 21 nC - 51 nC

Type: Passive

快速硅二极管,在EMI性能与开关速度之间实现平衡

  • VRRM     - 600 V
  • IF(AVG)   - 3 A - 20 A
  • QRR       - 21 nC - 51 nC
Diode Any
Qspeed H系列

超快速硅二极管

  • VRRM     - 600 V
  • IF(AVG)   - 3 A - 12 A
  • QRR       - 5.9 nC - 8.9 nC

Type: Passive

超快速硅二极管

  • VRRM     - 600 V
  • IF(AVG)   - 3 A - 12 A
  • QRR       - 5.9 nC - 8.9 nC
Diode Any