InnoSwitch-CH

InnoSwitch-CH系列IC将初级、次级和反馈电路同时集成到一个表面贴装离线式反激开关IC中。InnoSwitch-CH IC集成了初级FET、初级侧控制器和次级侧同步整流控制器。这款新IC还采用了一项创新型技术FluxLink,该技术可安全地越过隔离层并省去光耦器。次级侧控制器的集成可实现无击穿的同步整流FET驱动,同时提供快速瞬态响应,从而超越包括欧盟行为准则第5版和DoE第6版法规在内的所有国际能效标准。

产品特色

高度集成,外形紧凑

  • 集成了反激式控制器、650 V MOSFET、
    次级侧检测和同步整流
  • 带HIPOT隔离保护的集成反馈链路
  • 出色的CV/CC精度,不受变压器设计或外围元件的影响
  • 即时瞬态响应±5% CV,0-100-0%负载阶跃

EcoSmart – 高效节能

  • 在230 VAC下空载功耗<10 mW,带可选偏置绕组
  • 轻松满足全球所有能效标准,包括DOE 6/CoC v5
  • 低散热

先进的保护/安全特性

  • 初级检测过压保护(OVP),带可选偏置绕组
  • 次级检测输出过冲箝位
  • 次级检测输出过流保护(OCP),输出电压降至零
  • 迟滞热关断保护

完全符合安全及法规要求

  • 在6 kV DC/1秒条件下通过100%生产HIPOT合规性测试
  • 加强绝缘
  • 隔离电压 = 3,500 VAC,通过UL1577和TUV (EN60950)安全认证,符合EN61000-4-8 (100 A/m)和EN61000-4-9 (1000 A/m)标准

绿色封装

  • 无卤素和符合RoHS

应用

  • 适用于智能移动设备的充电器和适配器
  • LED照明
  • 高效率、低电压、高电流电源
Part Data Sheet BV(ds) Max Power Price S&H Availability
INN2003K-SA
INN2003K (Sample, 10 pcs.)

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650 V
15.0 W
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INN2004K-SA
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650 V
20.0 W
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INN2005K-SA
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650 V
25.0 W
$0
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